✆ 8-800-101-21-19

✉ info@enexi.ru

ЗАКАЗАТЬ ЗВОНОК
ЗАКАЗАТЬ ЗВОНОК
Или вы можете позвонить нам сами
+7 904 326 7696

Экспертиза причин повреждения драйверов светодиодных светильников

Описание процесса исследования в рамках независимой электротехнической экспертизы.
ЗАКАЗАТЬ ЭКСПЕРТИЗУ СВЕТОТЕХНИЧЕСКОЙ ПРОДУКЦИИ
Несудебная экспертиза
Эксперты: Окишев А.С., Сатпаев Д.С.

ПРОБЛЕМА
В процессе эксплуатации вышли из строя драйверы светодиодных светильников. Поставщик указанной светодиодной продукции обратился в нашу организацию за независимой экспертизой с целью установления причин повреждения, наличия производственных дефектов и ошибок в схемотехнических решениях для предотвращения повреждений продукции в будущем.

ПОСТАВЛЕННЫЕ НА ЭКСПЕРТИЗУ ВОПРОСЫ

  • 1
    Определить причину выхода из строя представленной на исследование светотехнической продукции – драйверов светодиодных светильников: заводской брак/некачественный монтаж/ ненадлежащая эксплуатация (и/или обслуживание) / действие непреодолимых сил/ или иное?
  • 2
    Имеются ли признаки заводского брака (дефекты) у представленных на исследование неповрежденных (работоспособных) образцов светотехнической продукции?
  • 3
    Установить и указать на ответственных лиц (организацию), если таковые имеются, за выход из строя представленных на исследование образцов светотехнической продукции: завод-изготовитель осветительных приборов/ монтажная организация/ эксплуатирующая организация/ или иное?
  • 4
    В случае выявления недостатков в схемотехнических решениях представленных на исследование драйверов светодиодных светильников разработать технические рекомендации по устранению указанных недостатков с целью предотвращения дальнейших выходов из строя новой светотехнической продукции в процессе эксплуатации.

МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

Органолептический
Инструментальный
Документальный
Аналитический

ИССЛЕДОВАНИЕ

Извлечение блоков питания из компаунда и исследование его свойств
На исследование представлены пять драйверов светодиодных светильников без светодиодной части:
  • три поврежденных драйвера;
  • один исправный драйвер, находившийся в эксплуатации;
  • один новый драйвер.

Для ответа на поставленные перед специалистами вопросы представленные на исследование блоки питания были извлечены из компаунда.

Повреждения вышедшего из строя блока питания №1

Повреждения вышедшего из строя блока питания №2

Повреждения вышедшего из строя блока питания №3

Как видно из приведенных рисунков, места гари и разрушений находятся в областях двух транзисторов, что является общей характерной чертой для всех вышедших из строя блоков питания.

В связи с наличием разрушенных элементов в вышедших из строя блоках питания для восстановления иерархии событий, приведших к выходу из строя блоков питания, из компаунда были извлечены неисправные блоки питания №1, №2, №3 и новый блок питания №5 для восстановления и детального изучения их электрических принципиальных схем.

Внешний вид платы неисправного блока питания №1 без компаунда

Внешний вид платы неисправного блока питания №2 без компаунда

Внешний вид платы неисправного блока питания №3 без компаунда

Внешний вид платы нового блока питания №5 без компаунда

Следует отметить, что компаунд, извлеченный из представленных на исследование блоков питания, имеет различия по структуре, а именно: неравномерную пластичность, пористость и неоднородность по всему слою залития, выражающуюся наличием кристаллизованных образований, что выявлено в вышедших из строя блоках питания.

Фрагмент компаунда с выявленными дефектами

Фрагмент компаунда без дефектов

Данный дефект компаунда с высокой долей вероятности свидетельствует о возможных нарушениях или об отсутствии единой технологии процесса залития компаундом блоков питания на производстве, что снижает теплоотводящие характеристики самого компаунда и соответственно может приводить к перегреву электронных компонентов.
Восстановление и исследование схемы электрической принципиальной нового блока питания
После восстановления и исследования электрической принципиальной схемы нового блока питания №5 выявлено, что в нем используется двухкаскадная двухканальная импульсная схема стабилизации тока и напряжения. В первом каскаде первым ШИМ-драйвером стабилизируется напряжение и далее во втором каскаде вторым ШИМ-драйвером стабилизируется ток, подаваемый на светодиодный модуль.
Рассмотрим схему более подробно. Питающее переменное напряжение 220 В подается на входы «Line» и «N» блока питания. Предохранитель F1 номиналом 8 А используется для ограничения входного тока. Предохранитель DT1 и варистор MOV1 (390 В) защищают схему от высоковольтных импульсов. Дроссели L1, L2, L3 выполняют функцию фильтров помех, наводимых в питающей сети. Варисторы MOV2-MOV4 (510 В) защищают схему от перенапряжений на входе и выходе диодного моста. Диодный мост GBU810 выполняют функцию двухполупериодного выпрямителя. На его выходе формируется постоянное напряжение 310 В, поступающее на вход первого каскада импульсной схемы стабилизации.
Основным элементом первого каскада является микросхема ШИМ-драйвера в корпусе для поверхностного монтажа (SMD) типоразмера SOIC8 с маркировкой «BEVFJA». Указанная маркировка не соответствует общепринятым стандартам маркировки микросхем поверхностного монтажа, что не позволяет точно установить тип микросхемы, однако по схеме соединения выводов микросхемы с соседними радиоэлементами было установлено, что она является аналогом микросхем для импульсных обратноходовых преобразователей напряжения.
Принцип работы импульсного обратноходового преобразователя напряжения (англ.: flyback converter) показан на рисунке.
Эта схема преобразует входное постоянное напряжение Vin в выходное постоянное напряжение Vout, регулируя выходное напряжение посредством широтно-импульсной модуляции (ШИМ). Широтно-импульсная модуляция – это метод управления транзистором, основанный на изменении отношения длительности включенного состояния транзистора к выключенному при постоянной частоте. В обратноходовом преобразователе в моменты включения транзистора энергия накапливается в обмотке импульсного трансформатора. Как правило, длительность включенного состояния транзистора больше длительности выключенного состояния для того, чтобы большее количество энергии было запасено в трансформаторе и передано в нагрузку.

В исследуемой схеме микросхема ШИМ-драйвера в момент подачи входного напряжения находится в выключенном состоянии до тех пор, пока конденсатор C3 через цепь R1–R2 не зарядится до уровня напряжения, достаточного для запуска микросхемы. В дальнейшим для подзаряда этого конденсатора используется дополнительная третья обмотка импульсного трансформатора. Через эту же обмотку микросхема контролирует уровень выходного напряжения и защищает нагрузку от перенапряжения. Напряжение с дополнительной обмотки подается на делитель R11–R12, подключенный к входу DEM микросхемы ШИМ-драйвера.
Управляющий сигнал с выхода GATE подается на затвор силового N-канального MOSFET-транзистора Q1 (12N65). Исток транзистора подключается к «минусу» постоянного входного напряжения через низкоомные резисторы R6–R8, выполняющие роль токового шунта. Падение напряжение на этих резисторах подается на вход контроля тока CS микросхемы ШИМ-драйвера, что позволяет реализовать защиту транзистора от превышения тока. Затвор транзистора подключается к первой обмотке импульсного трансформатора, подключенной к «плюсу» постоянного входного напряжения. Таким образом, в момент открытия транзистора через цепь «обмотка трансформатора – сток – исток – шунт» начинает протекать ток, а в обмотке трансформатора накапливается энергия.

При закрытии транзистора цепь разрывается, полярность на обмотке трансформатора изменятся и возникает обратный ток через обмотку. Для предотвращения повреждения транзистора обратным током используется снабберная цепь С1, D5, R13, R14, R21. При появлении обратного тока диод D5 открывается и заряжает конденсатор С1. При открытии транзистора диод D5 закрывается, а накопленная в конденсаторе C1 энергия рассеивается на резисторах R13, R14, R21.

Следует обратить внимание на то, что в первом каскаде блока для увеличения общей выходной мощности используется два транзистора и два импульсных трансформатора, выходные обмотки которых соединены параллельно. Для управления обоими транзисторами используется одна микросхема ШИМ-драйвера.

Данное схемотехническое решение позволяет уменьшить стоимость блока питания, однако оно имеет следующие недостатки:
  • защита от перенапряжения на выходе импульсного трансформатора организована только для первого трансформатора путем подключения вывода DEM к делителю напряжения, поступающего со вспомогательной обмотки первого трансформатора. Напряжение на вспомогательной обмотке второго трансформатора ШИМ-драйвером не контролируется. Так как выходы импульсных трансформаторов соединены параллельно через группу конденсаторов EC3–EC6, напряжение на выходе второго трансформатора на практике почти не отличается от напряжения на выходе первого трансформатора, поэтому указанный недостаток можно считать несущественным;
  • защита от превышения тока через транзистор организована только для первого транзистора Q1(1) путем подключения вывода CS микросхемы ШИМ-драйвера к токовому шунту R6(1)–R8(1), включенного в цепь истока указанного транзистора. Хотя в цепи затвора второго транзистора Q1(2) также присутствует токовый шунт R6(2)–R8(2), он не подключен к микросхеме, поэтому ток через второй транзистор ШИМ-драйвером напрямую не контролируется. Из-за этого второй транзистор корректно управляется драйвером только в том случае, когда параметры всех элементов первого и второго каналов являются абсолютно идентичными. При отклонении параметров элементов второго канала может наблюдаться некорректное управление вторым транзистором, приводящее к увеличению времени его открытия, увеличению тока через транзистор и, как следствие, его перегреву и пробою. Указанный недостаток является существенным и с высокой вероятностью является одной из причин возникновения неисправности блоков питания;
  • с высокой долей вероятности для облегчения токового режима транзисторов и повышения КПД блока питания микросхема ШИМ-драйвера использует явление квазирезонанса, что позволяет плавно снижать ток через транзистор перед его переключением. В частности, явление квазирезонанса используется в микросхеме драйвера OB2201 производителя On-Bright Electronics, цоколевка корпуса которой совпадает с исследуемой микросхемой. Частота квазирезонанса определяется индуктивностью обмотки первого трансформатора и емкостью первого транзистора. Отклонение характеристик второго транзистора и второго трансформатора может приводить к тому, что квазирезонанс во второй цепи будет возникать на другой частоте, однако, это не будет учитываться драйвером при управлении вторым транзистором. Следовательно, второй транзистор будет работать в более жестком режиме переключения и при отсутствии запаса по максимально допустимому току быстро выйдет из строя. Указанный недостаток также является существенным при условии, что микросхема ШИМ-драйвера использует эффект квазирезонанса.

Данные недостатки схемотехнического решения электрической схемы блока питания приводят к иерархии следующих событий.
1) При наличии разброса параметров элементов в первом и втором канале возникает разница токов и частот квазирезонанса, однако, из-за отсутствия обратной связи по току во втором канале второй ключ продолжает управляться так же, как и первый.
2) Возникает разбалансировка второго канала, а именно: превышение времени открытия второго транзистора и, как следствие, превышение допустимого тока через транзистор, его перегрев и пробой с последующим выгоранием (замыкание фазы на ноль через переход сток-исток).
3) Из-за пробоя второго транзистора выходит из строя ШИМ-драйвер.

4) Из-за неработоспособности ШИМ-драйвера ток через первый транзистор перестает регулироваться, что приводит к выходу из строя первого транзистора.

Восстановление и исследование схемы электрической принципиальной неисправных блоков питания
После восстановления и исследования схем электрических принципиальных неисправных блоков питания №1, №2, №3 выявлено, что в них используется двухкаскадная двухканальная импульсная схема стабилизации тока и напряжения, аналогичная схеме нового блока питания №5. В первом каскаде первым ШИМ-драйвером стабилизируется напряжение и далее во втором каскаде вторым ШИМ-драйвером стабилизируется ток, подаваемый на светодиодный модуль.

Вместе с тем, в схеме неисправных блоков присутствуют изменения в схемотехнике, а именно:
  • -во входной цепи отсутствуют предохранитель DT1 и термистор RT1;
  • на выходе выпрямительного моста отсутствуют сглаживающий конденсатор С2, диод D1 и резисторы R29, R30;
  • в цепи истока первого транзистора Q1(1) отсутствуют диоды D10, D12, которые были подключены параллельно токоизмерительному шунту R6(1)–R8(1);
  • в цепи истока второго транзистора Q1(2) отсутствуют диоды D13, D14, которые были подключены параллельно токоизмерительному шунту R6(2)–R8(2).
Указанные отличия не затрагивают основную схемотехническую причину выхода из строя блоков питания (некорректное управление вторым транзистором), поэтому являются непринципиальными.
Исследование маркировки неисправных транзисторов
В предыдущих пунктах исследования установлено, что развитие неисправности блоков питания связано с выходом из строя (пробоем) высоковольтных транзисторов. Как правило, основной причиной пробоя транзисторов является превышение максимального допустимого тока через переход «сток–исток». Максимально допустимый ток указывается в документации на транзистор и зависит от режима работы транзистора (кратковременный или постоянный), температуры окружающей среды, теплоемкости радиатора и других параметров.

В последнее время из-за санкционных ограничений, а также для снижения стоимости блоков питания при их производстве все чаще используются не оригинальные транзисторы известных мировых производителей (ST Microelectronics, International Rectifier, Vishay Intertechnology, Toshiba и др.), а их более дешевые китайские аналоги. Особенностью аналогов является максимальное удешевление производства: упрощение технологии изготовления, уменьшение площади кристалла и толщины электродов. При этом в документации указываются такие же характеристики, как у оригинальной продукции. Завышение паспортных характеристик транзисторов-аналогов по сравнению с реальными приводит к тому, что они работают в предельно допустимых режимах по току и напряжению, а иногда и с выходом за их рамки, поэтому срок службы существенно сокращается.
Продукция с такими транзисторами может выходить из строя существенно раньше заявленного срока эксплуатации.

В некоторых случаях недобросовестные производители применяют перемаркировку транзисторов: у более дешевого транзистора с худшими параметрами методом шлифовки удаляется старая маркировка и далее методом лазерной гравировки наносится новая маркировка, которая соответствует более дорогому транзистору с лучшими характеристиками. Перемаркированные транзисторы можно определить по неровной маркировке, отличию шрифтов в маркировке от оригинала, меньшей площади кристалла при вскрытии корпуса транзистора.

На следующих рисунках представлены фотографии маркировки транзисторов, извлеченных из неисправных блоков питания №1, №2, №3 и исправного блока питания №5 соответственно.

Маркировка транзисторов из несправного блока питания №1

Маркировка транзисторов из несправного блока питания №2

Маркировка транзисторов из несправного блока питания №3

Маркировка транзисторов из нового блока питания №5

Анализ представленных фотографий позволяет сделать следующие выводы:
  • в блоках питания используются неоригинальные транзисторы трех разных производителей с маркировками: MPVA12N65F, CS12N65A, CSP12N65KF;
  • у транзисторов CS12N65A из неисправных блоков питания №2 и №3 различаются шрифты и расположение маркировки на корпусе. При этом у транзистора из блока питания №2 на поверхности технологического выступа нанесена литера «L», которая отсутствует у транзисторов из блока питания №3;
  • в новом блоке питания №5 используются транзисторы с маркировкой CSP12N65KF, которая нанесена более качественно, но сами транзисторы относятся к разным партиям.

Таким образом, в блоках питания используются транзисторы разных производителей, причем в одном блоке питания установлены транзисторы одного производителя, но из разных партий. Отличия и дефекты в нанесении маркировки не исключают версии, что данные транзисторы были перемаркированы, поэтому их характеристики по напряжению и току не соответствуют заявленным. Для подтверждения этой версии необходимо дополнительное исследование со вскрытием корпусов транзисторов.

Исследование светодиодных модулей
Одной из причин выхода из строя электронных компонентов блоков питания осветительных приборов является наличие последовательно-параллельных цепей в светодиодных модулях. Как следствие, при перегорании одного из светодиодов происходит разрыв последовательной цепи из нескольких светодиодов, что приводит к резкому изменению параметров нагрузки блока питания и режимов работы остальных светодиодов в модуле.
На следующем рисунке представлена упрощенная схема светодиодного модуля с параллельными цепями светодиодов. Данная схема может стабильно работать только при абсолютно идентичных технических параметрах светодиодов, что невозможно обеспечить современным производством, по причине наличия больших допусков отклонения параметров, а также пропуском брака на производстве.

Согласно данной схеме, по каждой из трех параллельных цепей входной ток распределяется равномерно. Однако, в случае начала протекания процесса выхода из строя хотя бы одного из светодиодов (например: HL3.2), вызванного тем, что светодиод имеет наибольшее отклонение технических характеристик в отличии от всех светодиодов (или брак производства), начинают протекать следующие процессы:

1) Ток в цепи со светодиодом HL3.2 стремится к значению 0, однако до момента выхода из строя светодиода HL3.2, ток имеет стадии стремительного возрастания и убывания, вызванного совокупностью факторов:
– напряжение в цепи со светодиодом HL3.2 остается неизменным, что вызвано наличием других параллельных цепей;
– светодиод HL3.2 для продолжения нормальной работы, даже при изменившихся технических характеристиках, стремится изменить напряжение в соответствии с пропускаемым током, чего не происходит.

2) Ток уцелевших параллельных цепей увеличивается параллельно процессу снижения тока в цепи со светодиодом HL3.2, что приводит к режиму перегрузки светодиодов, в случае стабилизированного входного тока и авторегулироемого входного напряжения Uвх. Данный эффект в процессе работы осветительного прибора проявляется в виде повышения яркости в части светодиодов, при наличии светодиодов, уменьшивших свою яркость.

Развитие аварии в параллельных цепях светодиодов

3) Полный выход из строя светодиода HL3.2 приводит к отключению той параллельной цепи, в которой он находится, и запускается цепная реакция по выходу из строя уцелевших параллельных цепей светодиодов, по следующим причинам:
– входной ток всей схемы светодиодного модуля распределяется по уцелевшим цепям, вызывая утяжеленный режим работы, так как при большем токе увеличивается тепловыделение светодиодов, а светодиоды имеют корреляционную зависимость срока службы от температуры нагрева;
– за счет утяжеленного режима работы в уцелевших параллельных цепях выявляется новый светодиод с наибольшим отклонением технических характеристик, и начинают повторяться события, описанные в пунктах 1 и 2, до полного выхода из строя светодиодного модуля.

Вышеописанный пример выхода из строя светодиодов в параллельных цепях рассмотрен для случая, когда на светодиодный модуль подается стабилизированный ток и авторегулироемое входное напряжение.
В случае, когда на светодиодный модуль подается стабилизованное напряжение и авторегулируемый ток, процесс выхода из строя светодиодов аналогичен, но протекает дольше и в процессе работы осветительного прибора светодиоды не повышают яркость, а уменьшают.

Таким образом, использование последовательно-параллельных цепей светодиодов, кроме снижения надежности продолжительной работы осветительного прибора, создает резонансные режимы работы для выходных цепей блоков питания, а именно – при стабилизованном выходном токе и авторегулируемом выходном напряжении блока питания, светодиоды в процессе выхода из строя создают процесс импульсных попыток изменения выходного тока и напряжения блока питания. В момент протекания процесса выхода из строя хотя бы одного из светодиодов и после полного выхода из строя одной из параллельных цепей светодиодов происходит повышение выходного напряжения блока питания за счет авторегулирования, и происходят постоянные попытки увеличения выходного тока за счет изменения итоговых характеристик, необходимых светодиодам в уцелевших параллельных цепях. Однако у блока питания на выходных контактах реализован стабилизированный выходной ток, а попытки изменения выходного тока светодиодной нагрузкой в совокупности с авторегулируемым выходным напряжением блока питания приводят к появлению резонансного режима работы осветительного прибора в целом, что приводит к дальнейшему выходу из строя либо блока питания (в связи с совокупностью недостатков схемотехнических решений и низкого качества электронных компонентов), либо светодиодный модуль выходит из строя.

В ходе исследования предоставленных блоков питания вместе со светодиодными модулями выявлено:
– светодиодный модуль осветительного прибора с новым блоком питания содержит параллельные цепи светодиодов, по 17 последовательных светодиодов в каждой;

– светодиодный модуль осветительного прибора с блоком питания бывшим в эксплуатации содержит параллельные цепи светодиодов, по 3 последовательных светодиода в каждой.

Схема электрическая принципиальная светодиодного модуля из нового светильника

Таким образом, в случае если каждая из параллельно включенных цепей светодиодов состоит из 17 последовательных светодиодов, при выходе из строя одной последовательной цепи возникает большее влияние резонансного режима на выходные контакты блока питания, чем в случае, когда последовательная цепь состоит из 3 последовательных светодиодов, так как после распределения тока по уцелевшим параллельным цепям, и, соответственно, его увеличения, в цепях происходит возрастание выходного напряжения блока питания относительно 17 светодиодов, а не 3, что свидетельствует о более высокой надежности светодиодного модуля, в параллельных цепях которого 3 последовательных светодиода, и о меньшем его влиянием на выход из строя транзисторов и ШИМ-драйвера блока питания.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

  • 1
    Представленные на исследование блоки питания имеют недостатки схемотехнического решения, которые в совокупности с низким качеством комплектующих приводят к выходу из строя электронных компонентов блоков питания, а именно: двух транзисторов и микросхемы ШИМ-драйвера, последовательность выхода из строя которых представлена ниже:
    • при наличии разброса параметров комплектующих в первом и втором канале возникает разница токов (и возможно, частот квазирезонанса), однако, из-за отсутствия обратной связи по току во втором канале второй ключ продолжает управляться микросхемой ШИМ-драйвера так же, как и первый;
    • из-за неверного алгоритма управления вторым транзистором возникает разбалансировка второго канала, а именно: превышение времени открытия второго транзистора и, как следствие, превышение допустимого тока через транзистор, его перегрев и пробой с последующим выгоранием (замыкание фазы на ноль через переход сток-исток).
    • из-за пробоя транзистора выходит из строя ШИМ-драйвер;
    • из-за неработоспособности ШИМ-драйвера ток через первый транзистор перестает регулироваться, что приводит к выходу из строя первого транзистора.
  • 2
    Исследуемый блок питания относится к категории блоков со стабилизированным выходным током и авторегулируемым выходным напряжением. Дополнительным фактором, снижающим надежность указанных блоков питания и подключенных к ним светодиодных модулей, является использование последовательно-параллельных схем включения светодиодов с длинными цепями последовательно соединенных светодиодов и малым количество параллельно подключенных цепей.

    В последовательно-параллельных цепях светодиодов начало процесса выхода из строя хотя бы одного из светодиодов приводит к изменению выходных параметров блока питания, необходимых для продолжения нормальной работы светодиодов, а именно: происходит увеличение авторегулируемого выходного напряжения блока питания.

    С увеличением числа последовательно включенных светодиодов в каждой цепи увеличивается влияние выхода из строя одного светодиода на режимы работы остальных цепей, подключенных параллельно неисправной.
    Предоставленный на исследование светодиодный модуль осветительного прибора с новым блоком питания содержит параллельные цепи светодиодов, по 17 последовательных светодиодов в каждой, что имеет более низкую надежность и большее влияние на выход из строя блока питания, чем светодиодный модуль осветительного прибора с неповрежденным блоком питания, бывшим в эксплуатации, который содержит по 3 последовательных светодиода, в каждой параллельной цепи.
  • 3
    Компаунд, извлеченный из представленных на исследование блоков питания, имеет различия по структуре, а именно: неравномерную пластичность, пористость и неоднородность по всему слою залития, выражающуюся наличием кристаллизованных образований, что выявлено в вышедших из строя блоках питания. Данный дефект компаунда с высокой долей вероятности свидетельствует о возможных нарушениях или об отсутствии единой технологии процесса залития компаундом блоков питания на производстве, что снижает теплоотводящие характеристики самого компаунда и, соответственно, может приводить к перегреву электронных компонентов.
Таким образом на основании совокупности обнаруженных косвенных факторов имеют место:
– взаимное влияние недостатков схемотехнического решения блоков питания и светодиодной нагрузки, приводящих к выходу из строя электронных компонентов блока питания;
– использование схемотехнического решения светодиодной нагрузки в новых осветительных приборах с новым блоком питания, которые уменьшают надежность осветительного прибора в целом;
– различия в компаунде блоков питания.

Можно утверждать, что представленные на исследование вышедшие из строя блоки питания и работоспособные блоки питания в составе осветительных приборов являются заводским браком как производителя блоков питания, так и производителя осветительных приборов, так как блок питания является неотъемлемой частью осветительного прибора.

ОТВЕТЫ НА ВОПРОСЫ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЙ ЭКСПЕРТИЗЫ

  • Вопрос №1
    Определить причину выхода из строя представленной на исследование светотехнической продукции – драйверов светодиодных светильников: заводской брак/некачественный монтаж/ ненадлежащая эксплуатация (и/или обслуживание) / действие непреодолимых сил/ или иное?
    Ответ
    Причиной выхода из строя предоставленной на исследование светотехнической продукции (драйверов светодиодных модулей) является заводской брак, а именно совокупность взаимного влияния недостатков схемотехнических решений как драйверов, так и самих светодиодных модулей, а также наличие дефектов компаунда.
  • Вопрос №2
    Имеются ли признаки заводского брака (дефекты) у представленных на исследование неповрежденных (работоспособных) образцов светотехнической продукции?
    Ответ
    У представленных на исследование неповрежденных образцов светотехнической продукции имеются следующие признаки заводского брака:
    • в схемотехническом решении используется двухканальная импульсная схема стабилизации, в которой два транзистора в разных каналах управляются одним ШИМ-драйвером по единому алгоритму, формируемому без учета параметров второго канала, что приводит к некорректной работе второго транзистора;
    • светодиодный модуль с новым драйвером имеет недостаток схемотехнического решения, а именно: 17 последовательных светодиодов в каждой из параллельных цепей, что в случае выхода из строя одного из светодиодов приводит к большее резкому повышению выходного напряжения, чем у светодиодного модуля с драйвером бывшим в эксплуатации, где в параллельных цепях содержится по 3 последовательных светодиода, что в случае выхода из строя одного из светодиодов приводит к меньшему повышению напряжения
  • Вопрос №3
    Установить и указать на ответственных лиц (организацию), если таковые имеются, за выход из строя представленных на исследование образцов светотехнической продукции: завод-изготовитель осветительных приборов/ монтажная организация/ эксплуатирующая организация/ или иное?
    Ответ
    Ответственным лицом за выход из строя представленных на исследование образцов светотехнической продукции является завод-изготовитель осветительных приборов, так как драйвера и светодиодные модули являются неотъемлемой частью осветительного прибора
  • Вопрос №4
    В случае выявления недостатков в схемотехнических решениях представленных на исследование драйверов светодиодных светильников разработать технические рекомендации по устранению указанных недостатков с целью предотвращения дальнейших выходов из строя новой светотехнической продукции в процессе эксплуатации.
    Ответ
    Технические рекомендации по устранению указанных недостатков с целью предотвращения дальнейших выходов из строя новой светотехнической продукции в процессе эксплуатации:
    • устранить недостаток схемотехнического решения драйвера, а именно установить второй ШИМ-драйвер для полного контроля тока второго канала;
    • в светодиодном модуле исключить использование длинных последовательных цепей светодиодов для повышения надежности осветительного прибора в целом или организовать в драйвере независимые линии питания для отдельных независимых последовательных цепей светодиодов, что значительно повысит надежность осветительного прибора в целом за счет исключения возможности возникновения утяжеленных режимов работы драйвера, вызываемых увеличением напряжения на параллельных цепях светодиодов при обрыве одной из таких цепей.

БОЛЬШЕ ЭКСПЕРТИЗ СВЕТОТЕХНИЧЕСКОЙ ПРОДУКЦИИ

    ДРУГИЕ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ ЭКСПЕРТИЗЫ

      Остались вопросы?
      Получите бесплатную консультацию у профессионалов в области электротехники и теплотехники

      Наши эксперты обладают большим опытом выполнения технических экспертиз различной степени сложности и, скорее всего,
      уже сталкивались с Вашей проблемой. Мы уверены, что сможем Вам помочь в оказании квалифицированной экспертной помощи